MOSFET 電路分析與應用：線性、飽和區特性研究

📝 歷屆考古題

• 114年 高考申論題 第一題
  vA = vB = 0 V時，vo = ？（10 分）
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• 114年 高考申論題 第二題
  vA = 5 V，vB = 0 V時，vo = ？（10 分）
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• 113年 高考申論題 第三題
  三、如圖三之電路參數為：VTN=0.8V 和 k’n=40 μA/V2，以及λ=0。當 ML之寬長比(W/L)L=1，若 VI=5V、使得 Vo=0.10 V 時，試求其驅動電晶體之寬長比[(W/L)…
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• 111年 高考申論題 第一題
  圖一(a) 電晶體 Q 之參數 kn'(W/L) = 1 mA/V2 ， Vt = 1 V ， VA = ∞ ，Cgs = Cgd = 0；VDD = +5 V，C1 = C2 = 1 μF，RG1…
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• 111年 高考申論題 第一題
  忽略通道調變效應，計算電晶體直流電流 ID。（8 分）
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• 110年 高考申論題 第一題
  求算 R 值。（10 分）
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• 110年 高考申論題 第一題
  當電晶體 ID = 0.5 mA 及 VOV（overdrive voltage）= 0.5 V，求算增益 Gv = vO/vsig（僅直流分析時可忽略通道調變效應）。（8 分）
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• 110年 高考申論題 第二題
  當 M2操作於飽和區時，求算 vD2最小電壓。（10 分）
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• 110年 高考申論題 第二題
  假設 vsig為弦波信號且電晶體操作於飽和區，求算 vsig可允許的最大峰值與相應的 vD。（12 分）
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• 108年 高考申論題 第二題
  二、圖二放大器中，Q1 與 Q2 製程參數為 kn’ = 2kp’ = 2 mA/V，(W/L)p = 18×(W/L)n = 360，|Vtn| = 1.2 V，|Vtp| = 0.8 V，不考慮…
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• 108年 高考申論題 第五題
  圖五為單一電晶體 DRAM（one-transistor DRAM）單元（cell），請說明此單元在讀取 0、1 資料的工作原理（假設 Bit line capactiance 為 CB）？（20 分…
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• 108年 高考申論題 第題
  在 vI = +5 V 與 0 V 的穩態時，vO之電位、QP 與 QN 之工作區各為何？（10 分）
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• 108年 高考申論題 第題
  vI = +2.5V 為此邏輯閘的臨界電壓，此時所有晶體導通，QP 與 QN電流相同，Q1與 Q2集極電流亦相同，求算(W/L)p之值與 Q1集極電流。（10 分）
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• 107年 高考申論題 第一題
  若電流Io = 200 μA時，電壓 Vo 為多少？（10 分）
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• 107年 高考申論題 第二題
  若電壓Vo比原來增加 1 V 時，電流變為多少？（10 分）
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• 106年 高考申論題 第一題
  一、圖一電路 $V_{DD}=+5$ V，$R_D=4$ k$\Omega$，$R_{G1}=8$ k$\Omega$，$R_{G2}=4$ k$\Omega$，MOSFET 之臨界電壓（thresh…
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• 106年 高考申論題 第五題
  五、圖五反相器之高低電位輸入雜訊邊限（noise margin）分別定義為 $NM_H = V_{OH} – V_{IH}$與 $NM_L = V_{IL} – V_{OL}$，其中 $V_{IL}$…
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